科目名[英文名] | |||||
固体デバイス工学特論 [Selected Topics in Solid State Devices] | |||||
区分 | 後期課程科目 | 選択必修 | 単位数 | 2 | |
対象学科等 | 対象年次 | ~ | 開講時期 | 後学期 | |
授業形態 | 後学期 | 時間割番号 | 1080409 | ||
責任教員 [ローマ字表記] | |||||
前橋 兼三 [MAEHASHI Kenzo] | |||||
所属 | 工学部 | 研究室 | メールアドレス |
概要 |
半導体デバイスについて、固体物理を基にしてそのデバイス動作の基本原理から応用までを幅広く理解する。 |
到達基準 |
半導体電子・光デバイスについての基本動作原理を身につける。 |
授業内容 |
1.固体物理の復習 2.半導体のキャリア濃度 3.pn接合 4.MOSトランジスタ 5.半導体の光学応答 6.太陽電池 7.LED 8.半導体レーザ |
履修条件・関連項目 |
固体物理 |
テキスト・教科書 |
教科書指定なし。 |
参考書 |
固体物理学・工学のために 各種半導体デバイス |
成績評価の方法 |
レポートにより評価する。 |
教員から一言 |
キーワード |
半導体、デバイス |
オフィスアワー |
備考1 |
備考2 |
参照ホームページ |
開講言語 |
語学学習科目 |
更新日付 |
2017/03/23 23:37:49 |