| 科目名[英文名] | |||||
| 無機反応化学特論 [Advanced Inorganic Reaction] | |||||
| 区分 | 前期課程科目 | 選択必修 | 単位数 | 2 | |
| 対象学科等 | 対象年次 | ～ | 開講時期 | 前学期 | |
| 授業形態 | 前学期 | 時間割番号 | 1060202 | ||
| 責任教員 [ローマ字表記] | |||||
| 村上 尚, 熊谷 義直 [MURAKAMI Hisashi, KUMAGAI Yoshinao] | |||||
| 所属 | 工学部 | 研究室 | メールアドレス | ||
| 概要 |
| 現在のエレクトロニクスに不可欠な薄膜技術に関する基礎科学、すなわち薄膜作製、評価、応用に関しての講義を行う。特に薄膜半導体結晶の結晶成長、薄膜形成の基礎理論、各種解析手法を用いた物性・特性評価法などについて学ぶ。 |
| 到達基準 |
| 授業内容 |
|
第1回 ガイダンス：本講義内容の概説を行う。 第2回 薄膜の基礎 第3回 薄膜結晶成長（１）： エピタキシャル成長の種類と特徴。 第4回 薄膜結晶成長（２）： 真空蒸着の種類と特徴。 第5回 薄膜結晶成長（３）： 気相エピタキシャル成長の種類と特徴。 第6回 薄膜結晶成長（４）： 化学気相成長法(熱CVD、光CVD、プラズマCVD) 第7回 薄膜の評価（１）： 形状・構造評価 第8回 薄膜の評価（２）： 組成評価・分析 第9回 薄膜の評価（３）： 光学的物性評価 第10回 薄膜の機能と応用（１） 第11回 薄膜の機能と応用（２） 第12回 薄膜の機能と応用（３） 第13回 窒化物半導体の薄膜成長（１）：窒化物半導体の薄膜結晶成長法について述べる。 第14回 窒化物半導体の薄膜成長（２）：窒化物半導体の薄膜結晶成長法について述べる。 第15回 演習 |
| 履修条件・関連項目 |
| なし |
| テキスト・教科書 |
| 資料を配布予定 |
| 参考書 |
| 共立出版 中島一雄編 エピタキシャル成長のメカニズム |
| 成績評価の方法 |
| 授業態度、レポート点、演習点を総合的に評価する。 |
| 教員から一言 |
| キーワード |
| 薄膜工学 半導体結晶 エピタキシャル成長 気相成長 |
| オフィスアワー |
| 金曜日10:00〜15:00 |
| 備考１ |
| 備考２ |
| 参照ホームページ |
| 開講言語 |
| 語学学習科目 |
| 更新日付 |
| 2018/03/26 10:17:41 |