科目名[英文名]
固体デバイス工学特論   [Selected Topics in Solid State Devices]
区分	後期課程科目	選択必修		単位数	2
対象学科等		対象年次	～	開講時期	3学期
授業形態	3学期	時間割番号	1080409
責任教員 [ローマ字表記]
前橋 兼三   [MAEHASHI Kenzo]
所属	工学部	研究室		メールアドレス

概要

電子情報工学専攻物理応用工学カリキュラム中の選択科目として、本授業では、半導体デバイスについて、固体物理を基にしてそのデバイス動作の基本原理から量子デバイス等の応用までを幅広く理解する。

到達基準

半導体電子・光デバイスについての基本動作原理を理解し、説明できるようにする。 履修案内のカリキュラムマップを参照してください。

授業内容

第１－２回　固体物理　（k空間、エネルギーバンド、状態密度、フェルミ分布） 第３－４回　半導体の概念　（キャリア濃度分布） 第5－６回　pn接合、半導体・金属接合　（熱平衡状態、バイアス印加） 第７回　バンドエンジニアリング　（混晶半導体） 第８回　半導体の光応答　（吸収、発光） 第９－１０回　MOSトランジスタ 第１１回　LED、半導体レーザ 第１２－１３回　量子井戸構造 第１４回　単電子トランジスタ 第１５回　まとめ

履修条件・関連項目

固体物理II等を理解していること 授業時間30 時間に加え、配布した講義資料や参考書を参照し、本学の標準時間数に準ずる予習と復習を行うこと。

テキスト・教科書

教科書指定なし。

参考書

固体物理学－工学のために　岡崎　誠　著　裳華房 キッテル　固体物理学入門　丸善 各種半導体デバイス関連書籍

成績評価の方法

レポート(100%)により評価する。

教員から一言

キーワード

半導体デバイス

オフィスアワー

可能な限りいつでも対応します。mail での質問も可。

備考１

備考２

参照ホームページ

開講言語

日本語

語学学習科目

更新日付

2019/03/14 23:10:15