科目名[英文名] | |||||
電気電子工学フロンティア講義Ⅳ [Frontiers of Electrical and Electronics Engineering IV] | |||||
区分 | 後期課程科目 | 選択必修 | 単位数 | 2 | |
対象学科等 | 対象年次 | ~ | 開講時期 | 4学期 | |
授業形態 | 4学期 | 時間割番号 | 1080710 | ||
責任教員 [ローマ字表記] | |||||
安藤 正彦, 李 英根, 白樫 淳一 [ANDOH Masahiko, RI Yongun, SHIRAKASHI Junichi] | |||||
所属 | 工学部 | 研究室 | メールアドレス |
概要 |
本講義は,日立製作所中央研究所との連携大学院制度に基づくもので,電気電子工学のフロンティアに関して学ぶ. |
到達基準 |
講義内で説明した内容を十分理解すること.詳細については教員に確認すること |
授業内容 |
キーワードを列記する.詳細については教員に確認すること. -半導体の基礎 -電子デバイスの基礎 -電子デバイスの応用 -電子デバイスの最新技術 -電子デバイスの製造プロセス “新世代フォトニックデバイス“ 次世代のエレクトロニクスを生み出すには、新しい光デバイスおよび薄膜デバイスの開発がカギとなります。その推進力として、ナノサイズでの構造形成や光機能の制御を行う技術が不可欠です。本講義では、光デバイスや関連する薄膜デバイスを実例として、最新の技術開発の動向を基礎も含めて紹介します。 |
履修条件・関連項目 |
特になし |
テキスト・教科書 |
特になし |
参考書 |
特になし |
成績評価の方法 |
講義内容を十分理解したか基準とする. |
教員から一言 |
キーワード |
電子デバイス,半導体,製造プロセス |
オフィスアワー |
備考1 |
本講義は日立製作所中央研究所との連携大学院制度に基づくものである. |
備考2 |
参照ホームページ |
開講言語 |
日本語 |
語学学習科目 |
更新日付 |
2019/05/30 15:55:34 |