科目名[英文名]
電子デバイス工学   [Electrical Device Physics and Engineering]
区分	工学部専門科目	選択必修		単位数	2
対象学科等		対象年次	2～4	開講時期	3学期
授業形態	3学期	時間割番号	022474
責任教員 [ローマ字表記]
鮫島 俊之   [SAMESHIMA Toshiyuki]
所属	工学府	研究室		メールアドレス

概要

電子素子デバイスの物理の習得を目標とする 1.Introduction 2.Electrical properties for semiconductor: band theory 3.Electrical conductance for semiconductor: carrier density 4.Electrical conductance for semiconductor: doping 5.Electrical conductance for semiconductor－current 6.PN junction－space charge effect 7.PN junction－important values 8.PN junction－Minority carrier behavior 9.PN junction－current 10.MOS field effect transistor－MOS capacitor 1 11.MOS field effect transistor－MOS capacitor 2 12.MOS field effect transistor－output characteristics 13.MOS field effect transistor－CMOS 本科目は実務経験のある教員による授業科目である．

到達基準

ハードウェアとしての電子デバイスの本質を理解し、その原理の説明および簡単な設計ができるようになる。 履修案内のカリキュラムマップを参照してください。

授業内容

１．教員の講義、小演習、小テスト、中間期末を組み合わせた授業を行う。 ２．Zoomを用いて講義を行うので下記アドレスに入ってください。 https://tuat-jp.zoom.us/j/88986355812?pwd=Q0Z6bXdWZ2I0S3luMFZRbGhYem1rZz09 ミーティングID: 889 8635 5812 パスコード: 613521 ３．クラスルーム｛電子デバイス工学: b7a2wdh」を用いるので、登録をしてください。講義ノート、テストの配布はクラスルームにより行う。クラスルームに答案提出をすること。

履修条件・関連項目

本学の標準時間数に準ずる予習と復習を行うこと。

テキスト・教科書

講義ノートを配布する。

参考書

成績評価の方法

・中間試験と期末試験 ・毎回小テスト

教員から一言

キーワード

オフィスアワー

毎週月曜日13:00から15:00

備考１

備考２

参照ホームページ

開講言語

英語

語学学習科目

更新日付

2021/09/05 14:37:54