科目名[英文名]
電子デバイス工学   [Electrical Device Physics and Engineering]
区分	工学部専門科目	選択必修		単位数	2
対象学科等		対象年次	2～4	開講時期	3学期
授業形態	3学期	時間割番号	022474
責任教員 [ローマ字表記]
鮫島 俊之, 宮地 悟代   [MIYAJI Godai]
所属	工学部	研究室		メールアドレス

概要

電子素子デバイスの物理の習得を目標とする 1. Introduction 2. Electrical properties for semiconductor: band theory 3. Electrical conductance for semiconductor: carrier density 4. Electrical conductance for semiconductor: doping 5. Electrical conductance for semiconductor－current 6. PN junction－space charge effect 7. PN junction－important values 8. PN junction－Minority carrier behavior 9. PN junction－current and solar cell 10. MOS field effect transistor－MOS capacitor 1 11. MOS field effect transistor－MOS capacitor 2 12. MOS field effect transistor－FET1 13. MOS field effect transistor－FET2 14. MOS field effect transistor－FET3 本科目は実務経験のある教員による授業科目である．

到達基準

ハードウェアとしての電子デバイスの本質を理解し、その原理の説明および簡単な設計ができるようになる。 履修案内のカリキュラムマップを参照してください。

授業内容

１．教員の講義、小演習、小テスト、中間期末を組み合わせた授業を行う。 ２．Zoomを用いて講義を行うので下記アドレスに入ってください。 https://tuat-jp.zoom.us/j/89737605352?pwd=S05mWGlvVDMvOGpaNDJONmJpZFBnUT09 ミーティングID: 897 3760 5352 パスコード: 361966 ３．クラスルーム｛U2後月2(R4) 電子デバイス工学: r7b4ck5」を用いるので、登録をしてください。講義ノート、テストの配布はクラスルームにより行う。クラスルームに答案提出をすること。

履修条件・関連項目

本学の標準時間数に準ずる予習と復習を行うこと。

テキスト・教科書

講義ノートを配布する。

参考書

成績評価の方法

・中間試験と期末試験 ・毎回小テスト

教員から一言

キーワード

オフィスアワー

毎週月曜日13:00から15:00

備考１

備考２

参照ホームページ

開講言語

英語

語学学習科目

更新日付

2022/08/31 10:35:08