科目名[英文名]
先端電子デバイス   [Advanced Electric Devices]
区分	工学部専門科目	選択必修		単位数	2
対象学科等		対象年次	3～4	開講時期	3学期
授業形態	3学期	時間割番号	023693
責任教員 [ローマ字表記]
鮫島 俊之, 張 亜   [ZHANG Ya]
所属	工学部	研究室	張研究室	メールアドレス

概要

先端電子デバイスの習得を目標とする 1.Introduction 2.Electrical properties for semiconductor: band theory 3.Electrical conductance for semiconductor: carrier density 4.Electrical conductance for semiconductor: doping 5.Electrical conductance for semiconductor－current 6.PN junction－space charge effect 7.PN junction－important values 8.PN junction－Minority carrier behavior 9.PN junction－current 10.MOS field effect transistor－MOS capacitor 1 11.MOS field effect transistor－MOS capacitor 2 12.MOS field effect transistor－output characteristics 13.MOS field effect transistor－CMOS 本科目は実務経験のある教員による授業科目である．

到達基準

ハードウェアとしての先端電子デバイスの本質を理解し、その原理の説明および簡単な設計ができるようになる。 履修案内のカリキュラムマップを参照してください。

授業内容

１．教員の講義、小演習、小テスト、中間期末を組み合わせた授業を行う。 ２．対面で講義を行う。教員の都合で一時オンラインに変更することが可能である。その場合別途お知らせする。 ３．クラスルーム｛先端電子デバイス:hpwa62f」を用いるので、登録をしてください。講義ノート、テストの配布はクラスルームにより行う。クラスルームに答案提出をすること。

履修条件・関連項目

本学の標準時間数に準ずる予習と復習を行うこと。

テキスト・教科書

講義ノートを配布する。

参考書

成績評価の方法

・中間試験と期末試験 ・毎回小テスト

教員から一言

キーワード

オフィスアワー

毎週金曜日10:30から12:00

備考１

備考２

参照ホームページ

開講言語

英語

語学学習科目

更新日付

2022/09/26 15:35:40