科目名[英文名]
無機反応化学特論   [Advanced Inorganic Reaction]
区分 前期課程科目  選択必修   単位数 2 
対象学科等   対象年次   開講時期 1学期 
授業形態 1学期  時間割番号 1060202
責任教員 [ローマ字表記]
村上 尚, 熊谷 義直   [MURAKAMI Hisashi, KUMAGAI Yoshinao]
所属 工学部 研究室   メールアドレス

概要
 現在のエレクトロニクスに不可欠な薄膜技術に関する基礎科学、すなわち薄膜作製、評価、応用に関しての講義を行う。特に薄膜半導体結晶の結晶成長、薄膜形成の基礎理論、各種解析手法を用いた物性・特性評価法などについて学ぶ。
到達基準
薄膜作製技術、薄膜評価技術、薄膜を用いたデバイス応用に関して、体系的に理解ができていること。
ディプロマポリシー: 履修案内のカリキュラムマップを参照してください。
授業内容
第1回 ガイダンス:本講義内容の概説を行う。
第2回 薄膜の基礎
第3回 薄膜結晶成長(1): エピタキシャル成長の種類と特徴。
第4回 薄膜結晶成長(2): 真空蒸着の種類と特徴。
第5回 薄膜結晶成長(3): 気相エピタキシャル成長の種類と特徴。
第6回 薄膜結晶成長(4): 化学気相成長法(熱CVD、光CVD、プラズマCVD)
第7回 薄膜の評価(1): 形状・構造評価
第8回 薄膜の評価(2): 組成評価・分析
第9回 薄膜の評価(3): 光学的物性評価
第10回 薄膜の機能と応用(1)
第11回 薄膜の機能と応用(2)
第12回 薄膜の機能と応用(3)
第13回 窒化物半導体の薄膜成長(1):窒化物半導体の薄膜結晶成長法について述べる。
第14回 窒化物半導体の薄膜成長(2):窒化物半導体の薄膜結晶成長法について述べる。
第15回 演習
履修条件・関連項目
無機・物理化学を専門としない学生にも配慮して講義を行うが、大学院の講義であるので原則として学部レベルの基礎的な無機・物理化学に関する知識を有していることを前提に講義を行う。学部開講の半導体化学を履修・修得していることが望ましい。
テキスト・教科書
資料を適宜配布予定
参考書
共立出版 中島一雄編 エピタキシャル成長のメカニズム
成績評価の方法
授業態度(10%)、レポート点(20%)、演習点(70%)を総合的に評価する。
教員から一言
キーワード
薄膜工学 半導体結晶 エピタキシャル成長 気相成長
オフィスアワー
金曜日10:00〜15:00
備考1
Google Classroom コード: hmpzhzi
備考2
参照ホームページ
開講言語
語学学習科目
更新日付
2022/04/13 9:51:11