科目名[英文名]
無機反応化学特論   [Advanced Inorganic Reaction]
区分	前期課程科目	選択必修		単位数	2
対象学科等		対象年次	～	開講時期	1学期
授業形態	1学期	時間割番号	1060202
責任教員 [ローマ字表記]
村上 尚, 熊谷 義直   [MURAKAMI Hisashi, KUMAGAI Yoshinao]
所属	工学部	研究室		メールアドレス

概要

現在のエレクトロニクスに不可欠な薄膜技術に関する基礎科学、すなわち薄膜作製、評価、応用に関しての講義を行う。特に薄膜半導体結晶の結晶成長、薄膜形成の基礎理論、各種解析手法を用いた物性・特性評価法などについて学ぶ。

到達基準

薄膜作製技術、薄膜評価技術、薄膜を用いたデバイス応用に関して、体系的に理解ができていること。 ディプロマポリシー: 履修案内のカリキュラムマップを参照してください。

授業内容

第1回　ガイダンス：本講義内容の概説を行う。 第2回　薄膜の基礎 第3回　薄膜結晶成長（１）： エピタキシャル成長の種類と特徴。 第4回　薄膜結晶成長（２）： 真空蒸着の種類と特徴。 第5回　薄膜結晶成長（３）： 気相エピタキシャル成長の種類と特徴。 第6回　薄膜結晶成長（４）： 化学気相成長法(熱CVD、光CVD、プラズマCVD) 第7回　薄膜の評価（１）： 形状・構造評価 第8回　薄膜の評価（２）： 組成評価・分析 第9回　薄膜の評価（３）： 光学的物性評価 第10回　薄膜の機能と応用（１） 第11回　薄膜の機能と応用（２） 第12回　薄膜の機能と応用（３） 第13回　窒化物半導体の薄膜成長（１）：窒化物半導体の薄膜結晶成長法について述べる。 第14回　窒化物半導体の薄膜成長（２）：窒化物半導体の薄膜結晶成長法について述べる。 第15回　演習

履修条件・関連項目

無機・物理化学を専門としない学生にも配慮して講義を行うが、大学院の講義であるので原則として学部レベルの基礎的な無機・物理化学に関する知識を有していることを前提に講義を行う。学部開講の半導体化学を履修・修得していることが望ましい。

テキスト・教科書

資料を適宜配布予定

参考書

共立出版　中島一雄編　エピタキシャル成長のメカニズム

成績評価の方法

授業態度(10%)、レポート点(20%)、演習点(70%)を総合的に評価する。

教員から一言

キーワード

薄膜工学 半導体結晶 エピタキシャル成長 気相成長

オフィスアワー

金曜日10:00〜15:00

備考１

Google Classroom コード: hmpzhzi

備考２

参照ホームページ

開講言語

語学学習科目

更新日付

2022/04/13 9:51:11