科目名[英文名] | |||||
光エネルギー工学特論 [Advanced Light Energy Engineering] | |||||
区分 | 後期課程科目 | 選択必修 | 単位数 | 2 | |
対象学科等 | 対象年次 | ~ | 開講時期 | 3学期 | |
授業形態 | 3学期 | 時間割番号 | 1080425 | ||
責任教員 [ローマ字表記] | |||||
久保 若奈 [KUBO Wakana] | |||||
所属 | グローバルイノベーション研究院 | 研究室 | メールアドレス |
概要 |
光エネルギー工学概論では、可視光域(400-750 nm)および近赤外・中赤外域(750nm〜 (熱波))に応答するエネルギーデバイスに加えて、半導体(材料)・半導体微細加工・最先端FET等、幅広い電子デバイスに関する講義を実施する。エネルギーハーベスティングに関わるエネルギーデバイスのみならず、通信・情報・計算を司るCPUそしてそれを構成する半導体材料を学習する理由は、これらのデバイスがIoT(Internet of Things)デバイスに必須なデバイスであり、それらについて包括的に学習することが今後の社会における電子デバイスの役割について理解する上で必要なためである。 高度情報社会を支えるために、より高性能で小型、軽量なIoTデバイスの開発が求められている。IoTデバイスに関わる幅広いデバイスに関する知識を修得し、今後の新規IoTデバイスの設計指針を構築できる知識および能力を獲得することを本授業の達成目標とする。 なお、本科目は、実務経験のある教員による授業である。担当教員は国立研究所において研究開発業務に携わった経験を有する。 |
到達基準 |
・IoT社会におけるエネルギー・電子デバイスの重要性・役割を理解する。 ・電子デバイスの駆動原理を理解し、新規デバイスの設計指針について議論できる。 ・エネルギーデバイスや電子デバイスに関し、社会における今後の展開について議論できる。 |
授業内容 |
Google classroom code:ej32pp4 第1回 ガイダンス・今、半導体業界が熱い! 第2回 なぜ半導体が不足? 第3回 半導体微細化競争 第4回 pn接合 第5回 装置・材料に強い日本企業 第6回 微細化がCPU性能を劇的に向上 Intel&AMD闘争 第7回 Mooreの法則・FINFET 第8回 可視光域におけるエネルギーデバイス 光半導体・発光素子 第9回 可視光域におけるエネルギーデバイス 太陽電池 第10回 赤外域におけるエネルギーデバイス 第11回 身近な製品に含まれる光半導体 LiDAR 第12回 サステイナブル社会を支えるエネルギーデバイス 第13回 エネルギーハーベスティング 第14回 低炭素社会が必要とするエネルギー・電子デバイス 第15回 SDGsで求められるエネルギー・電子デバイス |
履修条件・関連項目 |
電子デバイスⅠを履修していること 本学の標準時間数に準ずる予習と復習を行うこと。 |
テキスト・教科書 |
Google クラスコード:oik46jl 必要資料は授業時に教員が配布する。 |
参考書 |
新版 基礎半導体工学 国岡昭夫 上村喜一 基礎から学ぶ半導体電子デバイス 大谷直毅 |
成績評価の方法 |
課題発表:50% レポート:50% とする。 |
教員から一言 |
単位取得条件は厳しくはありません。単位取得科目として、気軽に受講して下さい。 身近に存在するスマホ,PC,エネルギーデバイス,通信デバイスを日々活用していると思いますが、それらがどの様に構成され、駆動しているか理解することを目的とします。 |
キーワード |
半導体・電子デバイス・エネルギー・光電変換・環境・IoT・SDGs |
オフィスアワー |
金曜2限 |
備考1 |
Google クラスコード:oik46jl |
備考2 |
参照ホームページ |
http://web.tuat.ac.jp/~kubolab/top.htm |
開講言語 |
日本語 |
語学学習科目 |
英語 |
更新日付 |
2022/09/07 10:02:11 |