科目名[英文名]
物性化学   [Materials Chemistry]
区分	前期課程科目	選択必修		単位数	1
対象学科等		対象年次	～	開講時期	後学期
授業形態	後学期	時間割番号	112101
責任教員 [ローマ字表記]
星野 義延, 吉川 正人   [HOSHINO Yoshinobu, YOSHIKAWA Masato]
所属	農学研究院	研究室		メールアドレス

概要

現在のエレクトロニクスに不可欠な薄膜技術に関する基礎科学、すなわち薄膜作製、評価、応用に関しての講義を行う。特に薄膜半導体結晶の結晶成長、薄膜形成の基礎理論、各種解析手法を用いた物性・特性評価法などについて学ぶ。

到達基準

薄膜作製技術、薄膜評価技術、薄膜を用いたデバイス応用に関して、体系的に理解ができていること。 ディプロマポリシー: 履修案内のカリキュラムマップを参照してください。

授業内容

第1回　ガイダンス+本講義内容の概説を行う。 第2回　薄膜の基礎 第3回　薄膜結晶成長（１）： エピタキシャル成長の種類と特徴。 第4回　薄膜結晶成長（２）： 真空蒸着の種類と特徴。 第5回　薄膜結晶成長（３）： 気相エピタキシャル成長の種類と特徴。 第6回　薄膜結晶成長（４）： 化学気相成長法(熱CVD、光CVD、プラズマCVD) 第7回　薄膜の基礎的評価 第8回　まとめ・演習

履修条件・関連項目

無機・物理化学を専門としない学生にも配慮して講義を行うが、大学院の講義であるので原則として学部レベルの基礎的な無機・物理化学に関する知識を有していることを前提に講義を行う。学部開講の半導体化学を履修・修得していることが望ましい。

テキスト・教科書

資料を適宜配布予定

参考書

共立出版　中島一雄編　エピタキシャル成長のメカニズム

成績評価の方法

授業態度(10%)、レポート点(20%)、演習点(70%)を総合的に評価する。

教員から一言

キーワード

薄膜工学 半導体結晶 エピタキシャル成長 気相成長

オフィスアワー

メール等でコンタクトしてください。

備考１

備考２

参照ホームページ

開講言語

語学学習科目

更新日付

2023/02/17 11:09:25